أعلنت شركة سامسونج عن تعاونها مع IBM لتطوير تقنيات جديدة ستحدث نقلة نوعية في عالم الإلكترونيات.
وأشارت سامسونج إلى ات التعاون مع IBM أثمر عن تطوير تقنية جديدة لصنع شرائح إلكترونية بتقنية 1 نانومتر، وذلك من خلال تثبيت عدد كبير من الترانزستورات بشكل عمودي على الشريحة بدلا من تثبيتها أفقيا لتشغل مساحات أكبر.
وأوضحت سامسونج أن تقنية VTFETs للنقل العمودي للطاقة سيسمح بتحسن أداء المعالجات بمقدار الضعف تقريبا، كما سيوفر من استهلاك الطاقة بنسبة 85% تقريبا في الأجهزة الإلكترونية مقارنة بتقنية FinFET المستخدمة في أحدث المعالجات الحالية.
ويرى الخبراء أن التقنية الجديدة ستساعد في تطوير معالجات فائقة الأداء سيمكن استخدامها مستقبلا في الهواتف والحواسب والأجهزة الذكية وفي العديد من الإلكترونيات المستعملة في مجالات النقل والفضاء ومجالات الاتصالات.
وأشارت سامسونج خلال الحدث التقني الذي خصصته لاستعراض تقنياتها الجديدة إلى “أن النقص العالمي الموجود الآن في مجال أشباه الموصلات الخاصة بالإلكترونيات سلط الضوء على ضرورة الاستثمار والبحث في مجال الشرائح الإلكترونية، وأهمية الشرائح الإلكترونية المتطورة في العديد من المجالات بما فيها مجالات الإلكترونيات الاستهلاكية والإلكترونيات اللازمة لتوفير الخدمات الحيوية”.
وتجدر الإشارة إلى أن IBM كانت قد أعلنت عن أول شريحة إلكترونية لها مطورة بتقنية 2 نانومتر مطلع العام الجاري، لكن هذه الشريحة كانت تعتمد على تقنيات FinFET المستخدمة في المعالجات الحديثة المتوفرة حاليا.
